英特尔推相变存储器速度提升1000倍

据国外媒体报道，英特尔日前表示，今年下半年将向设备制造商提供新一代相变存储器样品。

据英国媒体报道，新一代相变存储器是一种非易失性的存储器产品，它集DRAM存储器的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来DRAM和闪存的替代品。

英特尔闪存部门首席技术官Ed Doller称：“从理想的角度讲，人们需要一种非易失性DRAM产品，而相变存储器就十分接近于该目标。”

Doller还称，相变存储器的读写速度相当于闪存的1000多倍，而能耗只有当前闪存的1/2。目前，英特尔正与意法半导体携手开发相变存储器。